80EPS12

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Descripción del producto

Número de pieza:	80EPS12
Fabricante / Marca:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC
Especificaciones:	80EPS12.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	4358 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4358 pcs

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Especificaciones de 80EPS12

Número de pieza	80EPS12	Fabricante	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción	DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	4358 pcs	Ficha de datos	80EPS12.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	80A
Tensión - Desglose	TO-247AC	Serie	-
Estado RoHS	Tube	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	-	Polarización	TO-247-3
Otros nombres	*80EPS12 VS-80EPS12 VS-80EPS12-ND VS80EPS12 VS80EPS12-ND	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Número de pieza del fabricante	80EPS12
Descripción ampliada	Diode Standard 1200V (1.2kV) 80A Through Hole TO-247AC	configuración de diodo	100µA @ 1200V
Descripción	DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC	Corriente - Fuga inversa a Vr	1.17V @ 80A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	1200V (1.2kV)	Capacitancia Vr, F	-40°C ~ 150°C

Modo de transporte
Después de las ventas
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: 80EPF12; Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay; Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC; Existencias disponibles: 5344 pcs; Descargar: 80EPF12.pdf; RFQ

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