30ETH06

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Descripción del producto

Número de pieza:	30ETH06
Fabricante / Marca:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Especificaciones:	30ETH06.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	4974 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4974 pcs

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Especificaciones de 30ETH06

Número de pieza	30ETH06	Fabricante	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción	DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	4974 pcs	Ficha de datos	30ETH06.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	30A
Tensión - Desglose	TO-220AC	Serie	FRED Pt®
Estado RoHS	Tube	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	-	Polarización	TO-220-2
Otros nombres	*30ETH06 VS-30ETH06 VS-30ETH06-ND VS30ETH06 VS30ETH06-ND	Temperatura de funcionamiento - Junction	35ns
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	30ETH06	Descripción ampliada	Diode Standard 600V 30A Through Hole TO-220AC
configuración de diodo	50µA @ 600V	Descripción	DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Corriente - Fuga inversa a Vr	2.6V @ 30A	Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	600V
Capacitancia Vr, F	-65°C ~ 175°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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