SUP40010EL-GE3

Vishay Siliconix

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Descripción del producto

Número de pieza:	SUP40010EL-GE3
Fabricante / Marca:	Vishay / Siliconix
Descripción del producto	MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Especificaciones:	SUP40010EL-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	42094 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 42094 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.092

10 pcs: $0.98

25 pcs: $0.926

100 pcs: $0.803

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Especificaciones de SUP40010EL-GE3

Número de pieza	SUP40010EL-GE3	Fabricante	Vishay Siliconix
Descripción	MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	42094 pcs	Ficha de datos	SUP40010EL-GE3.pdf
Voltaje - Prueba	11155pF @ 30V	Tensión - Desglose	TO-220AB
VGS (th) (Max) @Id	1.8 mOhm @ 30A, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	ThunderFET®
Estado RoHS	Digi-Reel®	RDS (Max) @Id, Vgs	120A (Tc)
Polarización	TO-220-3	Otros nombres	SUP40010EL-GE3DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	16 Weeks
Número de pieza del fabricante	SUP40010EL-GE3	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	230nC @ 10V
Tipo de IGBT	±20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2.5V @ 250µA
Característica de FET	N-Channel	Descripción ampliada	N-Channel 40V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-	Descripción	MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	40V	relación de capacidades	375W (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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