SIHP30N60E-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIHP30N60E-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Especificaciones:	SIHP30N60E-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	27969 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 27969 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de SIHP30N60E-GE3

Número de pieza	SIHP30N60E-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	27969 pcs	Ficha de datos	SIHP30N60E-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	E
RDS (Max) @Id, Vgs	125 mOhm @ 15A, 10V	La disipación de energía (máximo)	250W (Tc)
embalaje	Cut Tape (CT)	Paquete / Cubierta	TO-220-3
Otros nombres	SIHP30N60E-GE3CT SIHP30N60E-GE3CT-ND	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	130nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	29A (Tc)

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