SIHB12N65E-GE3

Vishay Siliconix

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIHB12N65E-GE3
Fabricante / Marca:	Vishay / Siliconix
Descripción del producto	MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Especificaciones:	SIHB12N65E-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	72147 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 72147 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de SIHB12N65E-GE3

Número de pieza	SIHB12N65E-GE3	Fabricante	Vishay Siliconix
Descripción	MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	72147 pcs	Ficha de datos	SIHB12N65E-GE3.pdf
Voltaje - Prueba	1224pF @ 100V	Tensión - Desglose	D²PAK (TO-263)
VGS (th) (Max) @Id	380 mOhm @ 6A, 10V	Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-	Estado RoHS	Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs	12A (Tc)	Polarización	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	19 Weeks
Número de pieza del fabricante	SIHB12N65E-GE3	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	70nC @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	4V @ 250µA	Característica de FET	N-Channel
Descripción ampliada	N-Channel 650V 12A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-
Descripción	MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	650V
relación de capacidades	156W (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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