SIA421DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIA421DJ-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Vishay / Siliconix
Descripción del producto	MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
Especificaciones:	SIA421DJ-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	155597 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 155597 pcs

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Especificaciones de SIA421DJ-T1-GE3

Número de pieza	SIA421DJ-T1-GE3	Fabricante	Vishay Siliconix
Descripción	MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	155597 pcs	Ficha de datos	SIA421DJ-T1-GE3.pdf
Voltaje - Prueba	950pF @ 15V	Tensión - Desglose	PowerPAK® SC-70-6 Single
VGS (th) (Max) @Id	35 mOhm @ 5.3A, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	TrenchFET®
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	RDS (Max) @Id, Vgs	12A (Tc)
Polarización	PowerPAK® SC-70-6	Otros nombres	SIA421DJ-T1-GE3TR SIA421DJT1GE3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	24 Weeks
Número de pieza del fabricante	SIA421DJ-T1-GE3	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	29nC @ 10V
Tipo de IGBT	±20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	3V @ 250µA
Característica de FET	P-Channel	Descripción ampliada	P-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-	Descripción	MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	30V	relación de capacidades	3.5W (Ta), 19W (Tc)

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