SI3460BDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI3460BDV-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Vishay / Siliconix
Descripción del producto	MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Especificaciones:	SI3460BDV-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	173735 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 173735 pcs

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Especificaciones de SI3460BDV-T1-GE3

Número de pieza	SI3460BDV-T1-GE3	Fabricante	Vishay Siliconix
Descripción	MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	173735 pcs	Ficha de datos	SI3460BDV-T1-GE3.pdf
Voltaje - Prueba	860pF @ 10V	Tensión - Desglose	6-TSOP
VGS (th) (Max) @Id	27 mOhm @ 5.1A, 4.5V	Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®	Estado RoHS	Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs	8A (Tc)	Polarización	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	15 Weeks
Número de pieza del fabricante	SI3460BDV-T1-GE3	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	24nC @ 8V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	1V @ 250µA	Característica de FET	N-Channel
Descripción ampliada	N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-
Descripción	MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	20V
relación de capacidades	2W (Ta), 3.5W (Tc)

Modo de transporte
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