TRS6E65C,S1AQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TRS6E65C,S1AQ
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
Especificaciones:	TRS6E65C,S1AQ.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	16526 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 16526 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

50 pcs: $2.308

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Especificaciones de TRS6E65C,S1AQ

Número de pieza	TRS6E65C,S1AQ	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	16526 pcs	Ficha de datos	TRS6E65C,S1AQ.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Silicon Carbide Schottky	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	6A (DC)
Tensión - Desglose	TO-220-2L	Serie	-
Estado RoHS	Tube	Tiempo de recuperación inversa (trr)	No Recovery Time > 500mA (Io)
Resistencia @ Si, F	35pF @ 650V, 1MHz	Polarización	TO-220-2
Otros nombres	TRS6E65C,S1AQ(S TRS6E65C,S1Q TRS6E65C,S1Q(S TRS6E65CS1AQ TRS6E65CS1AQ(S TRS6E65CS1Q TRS6E65CS1Q-ND	Temperatura de funcionamiento - Junction	0ns
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	12 Weeks	Número de pieza del fabricante	TRS6E65C,S1AQ
Descripción ampliada	Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole TO-220-2L	configuración de diodo	90µA @ 650V
Descripción	DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L	Corriente - Fuga inversa a Vr	1.7V @ 6A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	650V	Capacitancia Vr, F	175°C (Max)

Modo de transporte
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Especificaciones

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