JAN1N5615

Microsemi Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	JAN1N5615
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Especificaciones:	JAN1N5615.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	18711 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 18711 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

179 pcs: $2.078

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Especificaciones de JAN1N5615

Número de pieza	JAN1N5615	Fabricante	Microsemi Corporation
Descripción	DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	18711 pcs	Ficha de datos	JAN1N5615.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1A
Serie	Military, MIL-PRF-19500/429	Estado RoHS	Bulk
Tiempo de recuperación inversa (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)	Resistencia @ Si, F	-
Polarización	A, Axial	Otros nombres	1086-2103 1086-2103-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction	150ns	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	8 Weeks
Número de pieza del fabricante	JAN1N5615	Descripción ampliada	Diode Standard 200V 1A Through Hole
configuración de diodo	500nA @ 200V	Descripción	DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Corriente - Fuga inversa a Vr	1.6V @ 3A	Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	200V
Capacitancia Vr, F	-65°C ~ 175°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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