IRFS4115TRLPBF

Infineon Technologies

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Descripción del producto

Número de pieza:	IRFS4115TRLPBF
Fabricante / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción del producto	MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Especificaciones:	IRFS4115TRLPBF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	76114 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 76114 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

800 pcs: $0.641

1600 pcs: $0.541

2400 pcs: $0.514

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Especificaciones de IRFS4115TRLPBF

Número de pieza	IRFS4115TRLPBF	Fabricante	Infineon Technologies
Descripción	MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	76114 pcs	Ficha de datos	IRFS4115TRLPBF.pdf
Voltaje - Prueba	5270pF @ 50V	Tensión - Desglose	D2PAK
VGS (th) (Max) @Id	12.1 mOhm @ 62A, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	HEXFET®
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	RDS (Max) @Id, Vgs	195A (Tc)
Polarización	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	IRFS4115TRLPBFTR SP001578272
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	15 Weeks
Número de pieza del fabricante	IRFS4115TRLPBF	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	120nC @ 10V
Tipo de IGBT	±20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	5V @ 250µA
Característica de FET	N-Channel	Descripción ampliada	N-Channel 150V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-	Descripción	MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	150V	relación de capacidades	375W (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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FedEx	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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