Infineon Technologies| Número de pieza | IRF6648TR1 | Fabricante | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 4223 pcs | Ficha de datos | IRF6648TR1.pdf |
| Voltaje - Prueba | 2120pF @ 25V | Tensión - Desglose | DIRECTFET™ MN |
| VGS (th) (Max) @Id | 7 mOhm @ 17A, 10V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | HEXFET® | Estado RoHS | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 86A (Tc) | Polarización | DirectFET™ Isometric MN |
| Otros nombres | IRF6648 IRF6648-ND SP001571492 |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 2 (1 Year) |
| Número de pieza del fabricante | IRF6648TR1 | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 50nC @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4.9V @ 150µA | Característica de FET | N-Channel |
| Descripción ampliada | N-Channel 60V 86A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - |
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 60V |
| relación de capacidades | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
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