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Infineon Technologies
| Número de pieza | IRF6610TR1 | Fabricante | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 5912 pcs | Ficha de datos | IRF6610TR1.pdf |
| Voltaje - Prueba | 1520pF @ 10V | Tensión - Desglose | DIRECTFET™ SQ |
| VGS (th) (Max) @Id | 6.8 mOhm @ 15A, 10V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | HEXFET® | Estado RoHS | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 15A (Ta), 66A (Tc) | Polarización | DirectFET™ Isometric SQ |
| Otros nombres | IRF6610 IRF6610-ND SP001526776 |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante | IRF6610TR1 | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 17nC @ 4.5V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.55V @ 250µA | Característica de FET | N-Channel |
| Descripción ampliada | N-Channel 20V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - |
| Descripción | MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 20V |
| relación de capacidades | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
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|---|---|---|
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