BSP315PH6327XTSA1

Infineon Technologies

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Descripción del producto

Número de pieza:	BSP315PH6327XTSA1
Fabricante / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción del producto	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
Especificaciones:	BSP315PH6327XTSA1.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	279844 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 279844 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1000 pcs: $0.092

2000 pcs: $0.084

5000 pcs: $0.078

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Especificaciones de BSP315PH6327XTSA1

Número de pieza	BSP315PH6327XTSA1	Fabricante	Infineon Technologies
Descripción	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	279844 pcs	Ficha de datos	BSP315PH6327XTSA1.pdf
Voltaje - Prueba	160pF @ 25V	Tensión - Desglose	PG-SOT223-4
VGS (th) (Max) @Id	800 mOhm @ 1.17A, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	SIPMOS®
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	RDS (Max) @Id, Vgs	1.17A (Ta)
Polarización	TO-261-4, TO-261AA	Otros nombres	BSP315PH6327XTSA1TR SP001058830
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks
Número de pieza del fabricante	BSP315PH6327XTSA1	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7.8nC @ 10V
Tipo de IGBT	±20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2V @ 160µA
Característica de FET	P-Channel	Descripción ampliada	P-Channel 60V 1.17A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-	Descripción	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	60V	relación de capacidades	1.8W (Ta)

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Después de las ventas
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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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