Infineon Technologies| Número de pieza | BSC046N02KS G | Fabricante | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 121956 pcs | Ficha de datos | BSC046N02KS G.pdf |
| Voltaje - Prueba | 4100pF @ 10V | Tensión - Desglose | PG-TDSON-8 |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.6 mOhm @ 50A, 4.5V | Vgs (Max) | 2.5V, 4.5V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Serie | OptiMOS™ |
| Estado RoHS | Tape & Reel (TR) | RDS (Max) @Id, Vgs | 19A (Ta), 80A (Tc) |
| Polarización | 8-PowerTDFN | Otros nombres | BSC046N02KS G-ND BSC046N02KS GTR BSC046N02KSG BSC046N02KSGAUMA1 SP000379666 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | BSC046N02KS G | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 27.6nC @ 4.5V |
| Tipo de IGBT | ±12V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 1.2V @ 110µA |
| Característica de FET | N-Channel | Descripción ampliada | N-Channel 20V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - | Descripción | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 20V | relación de capacidades | 2.8W (Ta), 48W (Tc) |
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|---|---|---|
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