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Infineon Technologies
| Número de pieza | BSC037N08NS5ATMA1 | Fabricante | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 81421 pcs | Ficha de datos | BSC037N08NS5ATMA1.pdf |
| Voltaje - Prueba | 4200pF @ 40V | Tensión - Desglose | PG-TDSON-8 |
| VGS (th) (Max) @Id | 3.7 mOhm @ 50A, 10V | Vgs (Max) | 6V, 10V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Serie | OptiMOS™ |
| Estado RoHS | Tape & Reel (TR) | RDS (Max) @Id, Vgs | 100A (Tc) |
| Polarización | 8-PowerTDFN | Otros nombres | BSC037N08NS5ATMA1-ND BSC037N08NS5ATMA1TR SP001294988 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | BSC037N08NS5ATMA1 | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 58nC @ 10V |
| Tipo de IGBT | ±20V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 3.8V @ 72µA |
| Característica de FET | N-Channel | Descripción ampliada | N-Channel 80V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - | Descripción | MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 80V | relación de capacidades | 2.5W (Ta), 114W (Tc) |
| FedEx | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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