IXFX20N120P

IXYS

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFX20N120P
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247
Especificaciones:	IXFX20N120P.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5957 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5957 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

30 pcs: $6.509

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Especificaciones de IXFX20N120P

Número de pieza	IXFX20N120P	Fabricante	IXYS
Descripción	MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5957 pcs	Ficha de datos	IXFX20N120P.pdf
Voltaje - Prueba	11100pF @ 25V	Tensión - Desglose	PLUS247™-3
VGS (th) (Max) @Id	570 mOhm @ 10A, 10V	Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	HiPerFET™, PolarP2™	Estado RoHS	Tube
RDS (Max) @Id, Vgs	20A (Tc)	Polarización	TO-247-3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	8 Weeks
Número de pieza del fabricante	IXFX20N120P	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	193nC @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6.5V @ 1mA	Característica de FET	N-Channel
Descripción ampliada	N-Channel 1200V (1.2kV) 20A (Tc) 780W (Tc) Through Hole PLUS247™-3	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-
Descripción	MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1200V (1.2kV)
relación de capacidades	780W (Tc)

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