IXFK120N30P3

IXYS

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFK120N30P3
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
Especificaciones:	IXFK120N30P3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	11489 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 11489 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $4.619

10 pcs: $4.20

25 pcs: $3.885

100 pcs: $3.57

250 pcs: $3.255

500 pcs: $3.045

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Especificaciones de IXFK120N30P3

Número de pieza	IXFK120N30P3	Fabricante	IXYS
Descripción	MOSFET N-CH 300V 120A TO-264	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	11489 pcs	Ficha de datos	IXFK120N30P3.pdf
Voltaje - Prueba	8630pF @ 25V	Tensión - Desglose	TO-264AA (IXFK)
VGS (th) (Max) @Id	27 mOhm @ 60A, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	HiPerFET™, Polar3™
Estado RoHS	Tube	RDS (Max) @Id, Vgs	120A (Tc)
Polarización	TO-264-3, TO-264AA	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	12 Weeks	Número de pieza del fabricante	IXFK120N30P3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	150nC @ 10V	Tipo de IGBT	±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	5V @ 4mA	Característica de FET	N-Channel
Descripción ampliada	N-Channel 300V 120A (Tc) 1130W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-
Descripción	MOSFET N-CH 300V 120A TO-264	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	300V
relación de capacidades	1130W (Tc)

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Después de las ventas
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