DNA30E2200FE

IXYS

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Descripción del producto

Número de pieza:	DNA30E2200FE
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC
Especificaciones:	DNA30E2200FE.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	17840 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 17840 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

25 pcs: $1.768

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Especificaciones de DNA30E2200FE

Número de pieza	DNA30E2200FE	Fabricante	IXYS
Descripción	DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	17840 pcs	Ficha de datos	DNA30E2200FE.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	30A
Tensión - Desglose	i4-PAC	Serie	-
Estado RoHS	Tube	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	7pF @ 700V, 1MHz	Polarización	TO-251-2, IPak
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	DNA30E2200FE	Descripción ampliada	Diode Standard 2200V (2.2kV) 30A Through Hole i4-PAC
configuración de diodo	40µA @ 2200V	Descripción	DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC
Corriente - Fuga inversa a Vr	1.25V @ 30A	Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	2200V (2.2kV)
Capacitancia Vr, F	-55°C ~ 175°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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