GDP30S120B

Global Power Technologies Group

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Descripción del producto

Número de pieza:	GDP30S120B
Fabricante / Marca:	Global Power Technologies Group
Descripción del producto	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2
Especificaciones:	GDP30S120B.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	2987 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2987 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

120 pcs: $11.143

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Especificaciones de GDP30S120B

Número de pieza	GDP30S120B	Fabricante	Global Power Technologies Group
Descripción	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	2987 pcs	Ficha de datos	GDP30S120B.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Silicon Carbide Schottky	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	30A (DC)
Tensión - Desglose	TO-247-2	Serie	Amp+™
Estado RoHS	Tube	Tiempo de recuperación inversa (trr)	No Recovery Time > 500mA (Io)
Resistencia @ Si, F	1790pF @ 1V, 1MHz	Polarización	TO-247-2
Otros nombres	1560-1025-5	Temperatura de funcionamiento - Junction	0ns
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	GDP30S120B	Descripción ampliada	Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 30A (DC) Through Hole TO-247-2
configuración de diodo	100µA @ 1200V	Descripción	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2
Corriente - Fuga inversa a Vr	1.7V @ 30A	Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	1200V (1.2kV)
Capacitancia Vr, F	-55°C ~ 135°C

Modo de transporte
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Especificaciones

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