S12JR

GeneSiC Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	S12JR
Fabricante / Marca:	GeneSiC Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Especificaciones:	1.S12JR.pdf 2.S12JR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	32700 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 32700 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

200 pcs: $1.043

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Especificaciones de S12JR

Número de pieza	S12JR	Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	32700 pcs	Ficha de datos	1.S12JR.pdf 2.S12JR.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard, Reverse Polarity	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	12A
Tensión - Desglose	DO-4	Serie	-
Estado RoHS	Bulk	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	-	Polarización	DO-203AA, DO-4, Stud
Otros nombres	S12JRGN	Tipo de montaje	Chassis, Stud Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks
Número de pieza del fabricante	S12JR	Descripción ampliada	Diode Standard, Reverse Polarity 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
configuración de diodo	10µA @ 50V	Descripción	DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Corriente - Fuga inversa a Vr	1.1V @ 12A	Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	600V
Capacitancia Vr, F	-65°C ~ 175°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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