GAP05SLT80-220

GeneSiC Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	GAP05SLT80-220
Fabricante / Marca:	GeneSiC Semiconductor
Descripción del producto	DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
Especificaciones:	GAP05SLT80-220.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	282 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 282 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

10 pcs: $107.96

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Especificaciones de GAP05SLT80-220

Número de pieza	GAP05SLT80-220	Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Descripción	DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	282 pcs	Ficha de datos	GAP05SLT80-220.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Silicon Carbide Schottky	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	50mA (DC)
Tensión - Desglose	-	Serie	-
Estado RoHS	Tube	Tiempo de recuperación inversa (trr)	No Recovery Time > 500mA (Io)
Resistencia @ Si, F	25pF @ 1V, 1MHz	Polarización	Axial
Otros nombres	1242-1257	Temperatura de funcionamiento - Junction	0ns
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	18 Weeks	Número de pieza del fabricante	GAP05SLT80-220
Descripción ampliada	Diode Silicon Carbide Schottky 8000V (8kV) 50mA (DC) Through Hole	configuración de diodo	3.8µA @ 8000V
Descripción	DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL	Corriente - Fuga inversa a Vr	4.6V @ 50mA
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	8000V (8kV)	Capacitancia Vr, F	-55°C ~ 175°C

Modo de transporte
Después de las ventas
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