ISL9R8120S3ST

Fairchild/ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	ISL9R8120S3ST
Fabricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
Especificaciones:	ISL9R8120S3ST.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6005 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6005 pcs

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Especificaciones de ISL9R8120S3ST

Número de pieza	ISL9R8120S3ST	Fabricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6005 pcs	Ficha de datos	ISL9R8120S3ST.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	8A
Tensión - Desglose	TO-263AB	Serie	Stealth™
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	30pF @ 10V, 1MHz	Polarización	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres	ISL9R8120S3ST-ND ISL9R8120S3STFSTR	Temperatura de funcionamiento - Junction	300ns
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	ISL9R8120S3ST	Descripción ampliada	Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount TO-263AB
configuración de diodo	100µA @ 1200V	Descripción	DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
Corriente - Fuga inversa a Vr	3.3V @ 8A	Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	1200V (1.2kV)
Capacitancia Vr, F	-55°C ~ 150°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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