FQP10N20C

Fairchild/ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FQP10N20C
Fabricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
Especificaciones:	1.FQP10N20C.pdf 2.FQP10N20C.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	129685 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 129685 pcs

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Especificaciones de FQP10N20C

Número de pieza	FQP10N20C	Fabricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	129685 pcs	Ficha de datos	1.FQP10N20C.pdf 2.FQP10N20C.pdf
Voltaje - Prueba	510pF @ 25V	Tensión - Desglose	TO-220-3
VGS (th) (Max) @Id	360 mOhm @ 4.75A, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	QFET®
Estado RoHS	Tube	RDS (Max) @Id, Vgs	9.5A (Tc)
Polarización	TO-220-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	6 Weeks	Número de pieza del fabricante	FQP10N20C
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	26nC @ 10V	Tipo de IGBT	±30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	4V @ 250µA	Característica de FET	N-Channel
Descripción ampliada	N-Channel 200V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-
Descripción	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	200V
relación de capacidades	72W (Tc)

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