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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | FDN359BN | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 425003 pcs | Ficha de datos | 1.FDN359BN.pdf2.FDN359BN.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | SuperSOT-3 |
| Serie | PowerTrench® | RDS (Max) @Id, Vgs | 46 mOhm @ 2.7A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 500mW (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Otros nombres | FDN359BN-ND FDN359BN_F095 FDN359BN_F095TR FDN359BN_F095TR-ND FDN359BNF095 FDN359BNFSTR FDN359BNFSTR-ND FDN359BNOSTR FDN359BNTR FDN359BNTR-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 42 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 7nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | N-Channel 30V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) |
| FedEx | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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