FDMJ1032C

Fairchild/ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMJ1032C
Fabricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75
Especificaciones:	FDMJ1032C.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4026 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4026 pcs

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Especificaciones de FDMJ1032C

Número de pieza	FDMJ1032C	Fabricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4026 pcs	Ficha de datos	FDMJ1032C.pdf
Voltaje - Prueba	270pF @ 10V	Tensión - Desglose	SC-75, MicroFET
VGS (th) (Max) @Id	90 mOhm @ 3.2A, 4.5V	Serie	PowerTrench®
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	RDS (Max) @Id, Vgs	3.2A, 2.5A
Potencia - Max	800mW	Polarización	6-WFDFN Exposed Pad
Otros nombres	FDMJ1032CTR	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	FDMJ1032C	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3nC @ 4.5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	1.5V @ 250µA	Característica de FET	N and P-Channel
Descripción ampliada	Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.2A, 2.5A 800mW Surface Mount SC-75, MicroFET	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	Logic Level Gate
Descripción	MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	20V

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