FDD3670

Fairchild/ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDD3670
Fabricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
Especificaciones:	FDD3670.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	95824 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 95824 pcs

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Especificaciones de FDD3670

Número de pieza	FDD3670	Fabricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	95824 pcs	Ficha de datos	FDD3670.pdf
Voltaje - Prueba	2490pF @ 50V	Tensión - Desglose	TO-252
VGS (th) (Max) @Id	32 mOhm @ 7.3A, 10V	Vgs (Max)	6V, 10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	PowerTrench®
Estado RoHS	Digi-Reel®	RDS (Max) @Id, Vgs	34A (Ta)
Polarización	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	FDD3670DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	17 Weeks
Número de pieza del fabricante	FDD3670	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	80nC @ 10V
Tipo de IGBT	±20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	4V @ 250µA
Característica de FET	N-Channel	Descripción ampliada	N-Channel 100V 34A (Ta) 3.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-	Descripción	MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100V	relación de capacidades	3.8W (Ta), 83W (Tc)

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