FDB2572

Fairchild/ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDB2572
Fabricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB
Especificaciones:	FDB2572.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	78538 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 78538 pcs

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Especificaciones de FDB2572

Número de pieza	FDB2572	Fabricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	78538 pcs	Ficha de datos	FDB2572.pdf
Voltaje - Prueba	1770pF @ 25V	Tensión - Desglose	D²PAK (TO-263AB)
VGS (th) (Max) @Id	54 mOhm @ 9A, 10V	Vgs (Max)	6V, 10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	PowerTrench®
Estado RoHS	Digi-Reel®	RDS (Max) @Id, Vgs	4A (Ta), 29A (Tc)
Polarización	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	FDB2572DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	12 Weeks
Número de pieza del fabricante	FDB2572	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	34nC @ 10V
Tipo de IGBT	±20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	4V @ 250µA
Característica de FET	N-Channel	Descripción ampliada	N-Channel 150V 4A (Ta), 29A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-	Descripción	MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	150V	relación de capacidades	135W (Tc)

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