FCD3400N80Z

Fairchild/ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FCD3400N80Z
Fabricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 800V 2A D2PAK
Especificaciones:	FCD3400N80Z.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	158312 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 158312 pcs

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Especificaciones de FCD3400N80Z

Número de pieza	FCD3400N80Z	Fabricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 800V 2A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	158312 pcs	Ficha de datos	FCD3400N80Z.pdf
Voltaje - Prueba	400pF @ 100V	Tensión - Desglose	DPAK
VGS (th) (Max) @Id	3.4 Ohm @ 1A, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	SuperFET® II
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	RDS (Max) @Id, Vgs	2A (Tc)
Polarización	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	FCD3400N80ZTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	6 Weeks
Número de pieza del fabricante	FCD3400N80Z	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9.6nC @ 10V
Tipo de IGBT	±20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	4.5V @ 200µA
Característica de FET	N-Channel	Descripción ampliada	N-Channel 800V 2A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount DPAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-	Descripción	MOSFET N-CH 800V 2A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	800V	relación de capacidades	32W (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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