1N5402

ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	1N5402
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Especificaciones:	1N5402.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	5008 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5008 pcs

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Especificaciones de 1N5402

Número de pieza	1N5402	Fabricante	ON Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	5008 pcs	Ficha de datos	1N5402.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	3A
Tensión - Desglose	DO-201AD	Serie	-
Estado RoHS	Bulk	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	-	Polarización	DO-201AA, DO-27, Axial
Otros nombres	1N5402OS	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Número de pieza del fabricante	1N5402
Descripción ampliada	Diode Standard 200V 3A Through Hole DO-201AD	configuración de diodo	10µA @ 200V
Descripción	DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD	Corriente - Fuga inversa a Vr	1V @ 3A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	200V	Capacitancia Vr, F	-65°C ~ 170°C

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Especificaciones

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