ZVN3310FTA

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	ZVN3310FTA
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3
Especificaciones:	ZVN3310FTA.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	278216 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 278216 pcs

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Especificaciones de ZVN3310FTA

Número de pieza	ZVN3310FTA	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	278216 pcs	Ficha de datos	ZVN3310FTA.pdf
Voltaje - Prueba	40pF @ 25V	Tensión - Desglose	SOT-23-3
VGS (th) (Max) @Id	10 Ohm @ 500mA, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	-
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	RDS (Max) @Id, Vgs	100mA (Ta)
Polarización	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Otros nombres	MR ZVN3310FTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks
Número de pieza del fabricante	ZVN3310FTA	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Tipo de IGBT	±20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2.4V @ 1mA
Característica de FET	N-Channel	Descripción ampliada	N-Channel 100V 100mA (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-	Descripción	MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100V	relación de capacidades	330mW (Ta)

Modo de transporte
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