DMT8012LPS-13

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMT8012LPS-13
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8
Especificaciones:	DMT8012LPS-13.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	150105 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 150105 pcs

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5000 pcs: $0.147

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Especificaciones de DMT8012LPS-13

Número de pieza	DMT8012LPS-13	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	150105 pcs	Ficha de datos	DMT8012LPS-13.pdf
Voltaje - Prueba	1949pF @ 40V	Tensión - Desglose	PowerDI5060-8
VGS (th) (Max) @Id	17 mOhm @ 12A, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	-
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	RDS (Max) @Id, Vgs	9A (Ta), 65A (Tc)
Polarización	8-PowerTDFN	Otros nombres	DMT8012LPS-13DITR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	16 Weeks
Número de pieza del fabricante	DMT8012LPS-13	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	34nC @ 10V
Tipo de IGBT	±20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	3V @ 250µA
Característica de FET	N-Channel	Descripción ampliada	N-Channel 80V 9A (Ta), 65A (Tc) 2.1W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-	Descripción	MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	80V	relación de capacidades	2.1W (Ta), 113W (Tc)

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