DMS3016SFG-7

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMS3016SFG-7
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8
Especificaciones:	DMS3016SFG-7.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	219391 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 219391 pcs

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Especificaciones de DMS3016SFG-7

Número de pieza	DMS3016SFG-7	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	219391 pcs	Ficha de datos	DMS3016SFG-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerDI3333-8
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	13 mOhm @ 11.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)	980mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerVDFN	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	32 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1886pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	44.6nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	Schottky Diode (Body)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 7A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Ta)

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