DMP3010LPSQ-13

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMP3010LPSQ-13
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET P-CH 30V 36A 8SOIC
Especificaciones:	DMP3010LPSQ-13.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	104068 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 104068 pcs

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Especificaciones de DMP3010LPSQ-13

Número de pieza	DMP3010LPSQ-13	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET P-CH 30V 36A 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	104068 pcs	Ficha de datos	DMP3010LPSQ-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerDI5060-8
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	7.5 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.18W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	24 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6234pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	126.2nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	P-Channel 30V 36A (Ta) 2.18W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	36A (Ta)

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Especificaciones

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