DMN3007LSS-13

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMN3007LSS-13
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Especificaciones:	DMN3007LSS-13.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	159573 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 159573 pcs

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5000 pcs: $0.133

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Especificaciones de DMN3007LSS-13

Número de pieza	DMN3007LSS-13	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	159573 pcs	Ficha de datos	DMN3007LSS-13.pdf
Voltaje - Prueba	2714pF @ 15V	Tensión - Desglose	8-SOP
VGS (th) (Max) @Id	7 mOhm @ 15A, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	-
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	RDS (Max) @Id, Vgs	16A (Ta)
Polarización	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	DMN3007LSS13 DMN3007LSSDITR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	16 Weeks
Número de pieza del fabricante	DMN3007LSS-13	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	64.2nC @ 10V
Tipo de IGBT	±20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2.1V @ 250µA
Característica de FET	N-Channel	Descripción ampliada	N-Channel 30V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-	Descripción	MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	30V	relación de capacidades	2.5W (Ta)

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