DMN10H120SFG-13

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMN10H120SFG-13
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
Especificaciones:	DMN10H120SFG-13.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	224939 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 224939 pcs

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6000 pcs: $0.089

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Especificaciones de DMN10H120SFG-13

Número de pieza	DMN10H120SFG-13	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	224939 pcs	Ficha de datos	DMN10H120SFG-13.pdf
Voltaje - Prueba	549pF @ 50V	Tensión - Desglose	PowerDI3333-8
VGS (th) (Max) @Id	110 mOhm @ 3.3A, 10V	Vgs (Max)	6V, 10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	-
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	RDS (Max) @Id, Vgs	3.8A (Ta)
Polarización	8-PowerWDFN	Otros nombres	DMN10H120SFG-13DITR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	16 Weeks
Número de pieza del fabricante	DMN10H120SFG-13	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10.6nC @ 10V
Tipo de IGBT	±20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	3V @ 250µA
Característica de FET	N-Channel	Descripción ampliada	N-Channel 100V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-	Descripción	MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100V	relación de capacidades	1W (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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