SBAS116LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	SBAS116LT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23
Especificaciones:	SBAS116LT1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	931103 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 931103 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

3000 pcs: $0.034

6000 pcs: $0.032

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Especificaciones de SBAS116LT1G

Número de pieza	SBAS116LT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	931103 pcs	Ficha de datos	SBAS116LT1G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.25V @ 150mA	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	75V
Paquete del dispositivo	SOT-23-3 (TO-236)	Velocidad	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	3µs
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres	SBAS116LT1G-ND SBAS116LT1GOSTR	Temperatura de funcionamiento - Junction	-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	36 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo	Standard	Descripción detallada	Diode Standard 75V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corriente - Fuga inversa a Vr	5nA @ 75V	Corriente - rectificada media (Io)	200mA (DC)
Capacitancia Vr, F	2pF @ 0V, 1MHz	Número de pieza base	BAS116

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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