NSVMUN2233T1G

ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NSVMUN2233T1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3
Especificaciones:	NSVMUN2233T1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1336466 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1336466 pcs

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Especificaciones de NSVMUN2233T1G

Número de pieza	NSVMUN2233T1G	Fabricante	ON Semiconductor
Descripción	TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1336466 pcs	Ficha de datos	NSVMUN2233T1G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	100mA	Tensión - Desglose	SC-59-3
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	50V	Serie	-
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms)	4.7k
Resistencia - Base (R1) (Ohms)	-	Potencia - Max	230mW
Polarización	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	La figura de ruido (dB Typ @ f)	47k
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks	Número de pieza del fabricante	NSVMUN2233T1G
Frecuencia - Transición	80 @ 5mA, 10V	Descripción ampliada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59-3
Descripción	TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	500nA
Corriente - corte del colector (Max)	250mV @ 1mA, 10mA	Corriente - colector (Ic) (Max)	NPN - Pre-Biased

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