DLN10C-AT1

ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	DLN10C-AT1
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Especificaciones:	DLN10C-AT1.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4921 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4921 pcs

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Especificaciones de DLN10C-AT1

Número de pieza	DLN10C-AT1	Fabricante	ON Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4921 pcs	Ficha de datos	DLN10C-AT1.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1A
Tensión - Desglose	-	Serie	-
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	-	Polarización	R-1 (Axial)
Temperatura de funcionamiento - Junction	35ns	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Número de pieza del fabricante	DLN10C-AT1
Descripción ampliada	Diode Standard 200V 1A Through Hole	configuración de diodo	10µA @ 200V
Descripción	DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL	Corriente - Fuga inversa a Vr	980mV @ 1A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	200V	Capacitancia Vr, F	150°C (Max)

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