Rectificadores de SiC

Diodos Schottky estructurados de carburo de silicio rápido de STMicroelectronics

La conmutación de diodos Schottky estructurados con carburo de silicio de STMicroelectronics permite a los diseñadores alcanzar un mayor nivel de eficiencia y densidad de potencia. Cubriendo las clasificaciones de corriente de 2 A a 40 A, las familias de diodos SiC de 650 V y 1200 V de ST incluyen dispositivos AEC-Q101 dedicados a la industria y calificados para automoción en DPAK HV (alto voltaje) y D²PAK de montaje en superficie, o a través de orificios TO-220AC y TO-247LL (plomo largo).

La gama ST de diodos de 1200 V de carburo de silicio (SiC) JBS (Junction Barrier Schottky) satisface las necesidades de los diseñadores de eficiencia superior, bajo peso, tamaño pequeño y características térmicas mejoradas para aplicaciones orientadas al rendimiento.

Ofreciendo excelente voltaje directo (bajo V_F) y la robustez de vanguardia, los diodos SiC de 1200 V de ST proporcionan libertad adicional para lograr una alta eficiencia y confiabilidad con una clasificación de corriente más baja y, por lo tanto, un costo más bajo, al tiempo que reducen la temperatura de funcionamiento y prolongan la vida útil de la aplicación. Aseguran un ajuste perfecto en cada convertidor e inversor de modo de conmutación donde se necesita una densidad de potencia extrema y eficiencia, como SMPS, UPS, unidades solares y motores.

Cubriendo las clasificaciones de corriente: de 2 A a 40 A, la familia de diodos SiC de 1200 V de ST incluye dispositivos AEC-Q101 dedicados a la industria y calificados para automoción en DPAK HV (alto voltaje) y D²PAK de montaje en superficie, o orificio pasante TO Paquetes -220AC y TO-247LL (cable largo).

El SiC de 1200 V de ST permite alcanzar altos estándares y un factor de forma pequeño.