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International Rectifier (Infineon Technologies): El 1 de abril de 1999, Siemens Semiconductors se convirtió en Infineon Technologies. Una empresa dinámica más flexible orientada hacia el éxito en el competitivo mundo en constante cambio de la microelectrónica.
Infineon es un diseñador, fabricante y proveedor líder mundial de una amplia gama ......Detalles

FZ1200R17KE3B2NOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Descripción:IGBT MODULE 1700V 1200A
FD1000R33HL3KBPSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Descripción:IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
FF1200R12KE3NOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Descripción:IGBT MODULE VCES 1200V 1200A
FF200R12KT3EHOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Descripción:IGBT MODULE VCES 1200V 200A

Microsemi: - Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) ofrece una cartera completa de soluciones de semiconductores y sistemas para aeronáutica y defensa, comunicaciones, centros de datos y mercados industriales. Los productos incluyen circuitos integrados de señales mixtas analógicas, FPGA, SoC y ASIC; productos d......Detalles

APTGL90DA120T1G Microsemi Descripción:MOD IGBT 1200V 110A SP1
APTGT30DSK60T3G Microsemi Descripción:IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3
APTGT150A120T3AG Microsemi Descripción:IGBT ARRAY 1200V 220A 833W SP3
APTCV60HM45RCT3G Microsemi Descripción:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

Powerex, Inc.: - Powerex convierte las ideas en productos rentables y es un proveedor líder de soluciones de semiconductores de alta potencia discretas, modulares e integradas, y es compatible con muchos mercados, incluyendo: controles de motores de CA y CC, aeronaves, energía alternativa (WIND, fotovoltaica), com......Detalles

CM15TF-12H Powerex, Inc. Descripción:IGBT MOD 6PAC 600V 15A H SER
CM30TF-24H Powerex, Inc. Descripción:IGBT MOD 6PAC 1200V 30A H SER
CM300DY-24S Powerex, Inc. Descripción:IGBT HALF BRIDGE 1200V 300A MOD
CM100TJ-24F Powerex, Inc. Descripción:MOD IGBT 100A 1200V 6-PAC

IXYS Corporation: - IXYS Corporation ofrece una amplia línea de semiconductores de alta potencia, que incluyen MOSFET de potencia de baja resistencia, IGBT de conmutación ultrarrápida, diodos de recuperación rápida (FRED), SCR y módulos de diodo, puentes rectificadores e IC de interfaz de potencia.
......Detalles

MIAA10WB600TMH IXYS Corporation Descripción:MODULE IGBT CBI
MWI100-06A8T IXYS Corporation Descripción:IGBT SIXPACK 130A 600V E3PACK
VDI25-06P1 IXYS Corporation Descripción:MOD IGBT BUCK 600V ECO-PAC2
VII75-12P1 IXYS Corporation Descripción:MOD IGBT PHASE LEG 1200V ECOPAC2

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: APTGT225A170G; Fabricantes: Microsemi; Descripción: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6; Existencias disponibles: 642 pcs; Descargar: APTGT225A170G.pdf; RFQ

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