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Diodos-puentes rectificadores

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Electro-Films (EFI) / Vishay: - La cartera de productos de Vishay es una colección incomparable de semiconductores discretos (diodos, MOSFET y optoelectrónica) y componentes pasivos (resistencias, inductores y condensadores). Estos componentes se utilizan en prácticamente todos los tipos de dispositivos y equipos electrónicos en......Detalles

VS-40MT160P-P Electro-Films (EFI) / Vishay Descripción:MOD BRIDGE 3PH 45A 1600V MTP
GBU8A-E3/51 Electro-Films (EFI) / Vishay Descripción:DIODE GPP 8A 50V GPP INLINE GBU
2KBP005M-E4/72 Electro-Films (EFI) / Vishay Descripción:BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBPM
BU2508-M3/45 Electro-Films (EFI) / Vishay Descripción:RECTIFIER BRIDGE 25A 800V BU

Diodes Incorporated: - Diodes Incorporated es un fabricante y proveedor líder a nivel mundial de productos estándar específicos de alta calidad para aplicaciones dentro de los amplios mercados de semiconductores discretos, lógicos, analógicos y de señales mixtas. En noviembre de 2015, Pericom Semiconductor se convirtió ......Detalles

GBJ25005 Diodes Incorporated Descripción:RECT BRIDGE GPP 50V 25A GBJ
GBJ1504 Diodes Incorporated Descripción:RECT BRIDGE GPP 400V 15A GBJ
KBP2005G Diodes Incorporated Descripción:RECTIFIER BRIDGE GPP 50V 2A KBP
DF06S Diodes Incorporated Descripción:RECT BRIDGE SMD 600V 1A 4P DF-S

GeneSiC Semiconductor: - GeneSiC es un pionero y líder mundial en tecnología de carburo de silicio, mientras que también invierte en tecnologías de silicio de alta potencia. Los principales fabricantes mundiales de sistemas industriales y de defensa dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la efic......Detalles

GBU4A GeneSiC Semiconductor Descripción:DIODE BRIDGE 50V 4A GBU
GBL01 GeneSiC Semiconductor Descripción:DIODE BRIDGE 100V 4A GBL
BR62 GeneSiC Semiconductor Descripción:DIODE BRIDGE 200V 6A BR-6
GBPC3501T GeneSiC Semiconductor Descripción:DIODE BRIDGE 100V 35A GBPC-T/W

IXYS Corporation: - IXYS Corporation ofrece una amplia línea de semiconductores de alta potencia, que incluyen MOSFET de potencia de baja resistencia, IGBT de conmutación ultrarrápida, diodos de recuperación rápida (FRED), SCR y módulos de diodo, puentes rectificadores e IC de interfaz de potencia.
......Detalles

VBO40-08NO6 IXYS Corporation Descripción:DIODE BRIDGE 40A 800V SOT-227B
VUO60-18NO3 IXYS Corporation Descripción:RECT BRIDGE 3PH 72A 1800V FO-F-B
VBO20-12AO2 IXYS Corporation Descripción:DIODE BRIDGE 31A 1200V AVAL FO-A
VBE60-06A IXYS Corporation Descripción:DIODE BRIDGE FAST DIODE SOT-227B

TSC (Taiwan Semiconductor): - Reconocido por más de 37 años por su competencia central en rectificadores de potencia discretos, Taiwan Semiconductor ha ampliado su cartera de productos para incluir trincheras, circuitos integrados analógicos, circuitos integrados con controlador de LED, transistores de potencia y MOSFET, y aho......Detalles

GBPC3506 T0G TSC (Taiwan Semiconductor) Descripción:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A GBPC
TS10P01GHD2G TSC (Taiwan Semiconductor) Descripción:BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A TS-6P
TS10P05GHC2G TSC (Taiwan Semiconductor) Descripción:BRIDGE RECT 1P 600V 10A TS-6P
DBLS159G C1G TSC (Taiwan Semiconductor) Descripción:BRIDGE RECT 1P 1.4KV 1.5A DBLS

Comchip Technology: - Comchip Technology Corporation lidera el diseño y la fabricación de semiconductores discretos SMD. Con investigación innovadora y capacidades de fabricación patentadas, Comchip ofrece rectificadores de puente, rectificadores de eficiencia rápida, diodos de conmutación, diodos Zener, diodos Schottk......Detalles

DB107-G Comchip Technology Descripción:RECTIFIER BRIDGE 1A 1000V DB
B10S-HF Comchip Technology Descripción:DIODE BRIDGE 1000V 0.8A MBS
GBU2508-G Comchip Technology Descripción:RECTIFIER BRIDGE 25A 800V GBU

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: VBO40-08NO6; Fabricantes: IXYS Corporation; Descripción: DIODE BRIDGE 40A 800V SOT-227B; Existencias disponibles: 8221 pcs; Descargar: VBO40-08NO6.pdf; RFQ

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