SIHP23N60E-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIHP23N60E-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 23A TO-220AB
Especificaciones:	SIHP23N60E-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	54446 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 54446 pcs

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Especificaciones de SIHP23N60E-GE3

Número de pieza	SIHP23N60E-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 600V 23A TO-220AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	54446 pcs	Ficha de datos	SIHP23N60E-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	158 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)	227W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2418pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	95nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	23A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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