SI5905BDC-T1-E3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI5905BDC-T1-E3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Especificaciones:	SI5905BDC-T1-E3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5336 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5336 pcs

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Especificaciones de SI5905BDC-T1-E3

Número de pieza	SI5905BDC-T1-E3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5336 pcs	Ficha de datos	SI5905BDC-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 250µA	Paquete del dispositivo	1206-8 ChipFET™
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	80 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Potencia - Max	3.1W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SMD, Flat Lead	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 4V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	11nC @ 8V	Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	8V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4A
Número de pieza base	SI5905

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