SI4904DY-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI4904DY-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
Especificaciones:	SI4904DY-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	82398 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 82398 pcs

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Especificaciones de SI4904DY-T1-GE3

Número de pieza	SI4904DY-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	82398 pcs	Ficha de datos	SI4904DY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	16 mOhm @ 5A, 10V
Potencia - Max	3.25W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	SI4904DY-T1-GE3TR SI4904DYT1GE3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	33 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2390pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	85nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica de FET	Standard	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 8A 3.25W Surface Mount 8-SO	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	8A
Número de pieza base	SI4904

Modo de transporte
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Especificaciones

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