DMT36M1LPS-13

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMT36M1LPS-13
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 65A POWERDI5060
Especificaciones:	DMT36M1LPS-13.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	265215 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 265215 pcs

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1 pcs: $0.233

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Especificaciones de DMT36M1LPS-13

Número de pieza	DMT36M1LPS-13	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 30V 65A POWERDI5060	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	265215 pcs	Ficha de datos	DMT36M1LPS-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerDI5060-8
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	6 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.6W (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	DMT36M1LPS-13DICT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1155pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	16.7nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 65A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	65A (Tc)

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