NSVBSP19AT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NSVBSP19AT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Especificaciones:	NSVBSP19AT1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5922 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5922 pcs

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Especificaciones de NSVBSP19AT1G

Número de pieza	NSVBSP19AT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	TRANS NPN 350V 0.1A SOT223	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5922 pcs	Ficha de datos	NSVBSP19AT1G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	350V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 4mA, 50mA
Tipo de transistor	NPN	Paquete del dispositivo	SOT-223 (TO-261)
Serie	-	Potencia - Max	800mW
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	TO-261-4, TO-261AA
Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición	70MHz	Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 70MHz 800mW Surface Mount SOT-223 (TO-261)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 20mA, 10V	Corriente - corte del colector (Max)	20nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)	100mA

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Después de las ventas
Especificaciones

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