NSV60100DMTWTBG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NSV60100DMTWTBG
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	DUAL TRANSISTOR PNP
Especificaciones:	NSV60100DMTWTBG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	185423 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 185423 pcs

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Especificaciones de NSV60100DMTWTBG

Número de pieza	NSV60100DMTWTBG	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	DUAL TRANSISTOR PNP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	185423 pcs	Ficha de datos	NSV60100DMTWTBG.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	60V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 100mA, 2A
Tipo de transistor	2 NPN (Dual)	Paquete del dispositivo	6-WDFN (2x2)
Serie	-	Potencia - Max	2.27W
embalaje	Cut Tape (CT)	Paquete / Cubierta	6-WDFN Exposed Pad
Otros nombres	NSV60100DMTWTBGOSCT	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	22 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición	155MHz	Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 155MHz 2.27W Surface Mount 6-WDFN (2x2)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 500mA, 2V	Corriente - corte del colector (Max)	100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)	1A

Modo de transporte
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Especificaciones

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